Nieuws

450 millimeter wafers maken EUV-vertraging goed

Paul van Gerven
Reading time: 7 minutes

Door de vertraging die EUV-lithografie heeft opgelopen, stapt de IC-industrie af van het pad dat de wet van Moore had uitgetekend. Alleen migratie naar 450 millimeter wafers zou de schade kunnen herstellen, vertelde technisch topman Martin van den Brink van ASML op de ISSCC.

Chipfabrikanten zijn bezorgd over de kosten van lithografie. De prijs die zij per transistor moeten betalen, stijgt fors bij elke sprong die zij maken op de technologieroadmap. Volgens analisten van Barclays spendeerde TSMC bijvoorbeeld zeventien miljoen dollar aan scanners om duizend wafers starts per maand te realiseren op het 32/28-nanometerknooppunt. Bij de 22/20-nanometernode zal dat bedrag oplopen naar 27 miljoen. De oorzaak: de toename van het benodigde aantal belichtingen per chip, mede door een sterke stijging van het aantal double patterning-stappen (DP).

Op het 14-nanometerknooppunt zouden de lithokosten met de huidige immersietechnieken helemaal de pan uit rijzen, maar chipfabrikanten moeten toch wat. Een alternatieve patroneringsmethode is er niet; EUV-lithografie is nog altijd niet toe aan het hoofdpodium en geen enkele niet-optische technologie heeft prestaties laten zien die de industrie aan haar keuze voor EUV doen twijfelen. Chips van de 14-nanometergeneratie zullen dan ook de eerste in de geschiedenis van de moderne IC-industrie zijn die niet de dubbele transistordichtheid hebben ten opzichte van hun voorgangers.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for only €15 and enjoy all the benefits.

Login

Related content