Beschermlaag trekt doorslagspanning GaN op

Schakelingen van galliumnitride (GaN) slaan pas bij een veel hoger voltage door als ze worden voorzien van een beschermende laag rijk aan argon. Dat schrijft een groep van North Carolina State University in IEEE Electron Devices Letters. De met ionimplantatie gecreëerde argonlaag voorkomt dat er aan de rand van een schakeling destructief grote elektrische velden ontstaan. Schottky-diodes van GaN met beschermlaag kunnen tot 1650 volt aan, tegen 250 volt zonder. Omdat bij hogere spanning de weerstand afneemt, kunnen de schakelingen tien keer meer vermogen aan.