Imec boekt vooruitgang in ontwikkeling sub-5-nm-cmos

Imec demonstreert deze week op de 2017 International Electron Devices Meeting in San Francisco een eenvoudig circuit op basis van verticaal gestapelde gate-all-around (gaa) nanodraad-mosfets. Dit type schakelaars geldt als een van de primaire kandidaten voor sub-5-nanometer-cmos.

Gaa-transistoren borduren voort op de finfet, waar de gate het stroomkanaal aan drie zijden omsluit. Gaa’s bestaan uit meerdere, volledig omsloten stroomkanalen die boven elkaar zijn gearrangeerd. Dat maximaliseert de aan-stroom en beperkt de lekstroom.

Vorig jaar demonstreerde Imec op de IEDM de eerste combinatie van een n- en p-gaa-mosfet. Nu heeft een instituut een ringoscillator gebouwd, een serie van not-gates in een ring. Dit device wordt meestal gekozen om een nieuwe technologie te demonstreren.