De Europese Commissie steekt 5,8 miljoen euro in het Duallogic-project, dat de mogelijkheid onderzoekt om germanium en III-V-halfgeleiders te combineren tot high-performance IC‘s. De andere deelnemers, onder wie the usual suspects CEA-Leti, IBM Zürich, Imec, NXP en STMicroelectronics, vullen de subsidie aan tot 9,1 miljoen euro. Het Griekse National Center for Scientific Research (NCRS) Demokritos is belast met de coördinatie van het zesendertig maanden durende project.
Complementary Metal-Oxide Semiconductor-technologie (CMos) staat tegenwoordig vrijwel gelijk aan chiptechnologie. Toch is het af en toe wel handig om eraan herinnerd te worden wat de constituerende woorden betekenen. De term ’metaaloxide‘ refereert aan de structuur van de bekendste veldeffecttransistor (Fet), waarbij een isolerend oxide de metalen stuurelektrode scheidt van het geleidende bron-afvoerkanaal. Decennialang vervulde siliciumdioxide deze rol als gatediëlektricum met verve, maar sinds vorig jaar heeft hafniumoxide het stokje (voorlopig) overgenomen. Het laagje siliciumdioxide werd zo dun dat het stroom lekte en de chipproductie leed onder oncontroleerbare procesvariaties.
De term ’complementair‘ verwijst niet naar de microstructuur van individuele transistoren, maar naar de manier waarop de veldeffecttransistoren aaneen zijn geschakeld. Er zijn vele mogelijkheden om dat te doen, maar CMos paart twee beschikbare (en complementaire) typen metaaloxidetransistoren: n-Mos en p-Mos. Het effect daarvan is een reductie van de ruis en een lager stroomverbruik.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
