Het Israëlische Weebit Nano claimt een doorbraak in de ontwikkeling van resistive ram (rram of reram). De geheugenwerking van deze technologie berust op het schakelen van een oxide tussen een geleidende en een niet-geleidende toestand. Weebit gebruikt siliciumoxide, waarin zich reversibel geleidende filamenten kunnen vormen. De doorbraak bestaat eruit dat dit is gelukt in lagen van vijf nanometer dik. Bij zo’n dikte brandden de geheugenelementen vaak door: de concurrentie is nog niet verder gekomen dan zestien nanometer. Dat is vermoedelijk een te klein verschil om de concurrentie met flash aan te kunnen, maar vijf nanometer is een andere zaak. Weebit onderhandelt met een halfgeleiderbedrijf om de technologie via een joint venture te commercialiseren.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.