ASMI verbetert hoge-k-gateproces voor 14 nm

ASMI heeft een hoge-k-diëlektricumproces op veertien nanometer ontwikkeld dat een equivalent oxide thickness (EOT) haalt van minder dan 0,6 nanometer. Volgens het Almeerse bedrijf is dat een verbetering van veertig procent ten opzichte van de huidige geavanceerde nodes. Met zijn Pulsar-ALD-tool is ASMI erin geslaagd om op een 14-nm-R&D-lijn van een van zijn klanten een hafniumgebaseerd materiaal te kwalificeren dat een hogere k heeft dan de bestaande baseline. Hierbij heeft het de lekstroom onder de 1 A per vierkante centimeter weten te houden.