Intel en STMicroelectronics zijn erin geslaagd twee bits per cel op te slaan in faseveranderingsgeheugen (phase-change memory, PCM). Dat meldden onderzoekers van beide bedrijven op de International Solid State Circuits Conference in San Francisco. Daarmee haalt het niet-vluchtige opslagmedium de achterstand ten opzichte van flash in, waar 2 bit per cel al gemeengoed is.
De basis voor de logische inhoud van ’traditioneel‘ PCM is de elektrische weerstand. Dit type geheugen bestaat uit kleine eilandjes van een materiaal dat zich in verschillende toestanden kan bevinden: kristallijn of amorf. In de kristallijnen fase zitten de atomen netjes geordend ten opzichte van elkaar. Deze fase heeft een lage weerstand. Bij de amorfe toestand is het net andersom. Meting van de geleidbaarheid van een eilandje kan dus twee verschillende uitkomsten hebben: een 0 of een 1. Het schrijfproces – het veranderen van de toestand van de cel – gaat met ultrakorte verwarmingspulsjes.
De onderzoekers van Intel en STM hebben een PCM gepresenteerd waarin het faseveranderende materiaal niet twee, maar vier unieke toestanden kent. Daarmee valt in een eilandje twee bits op te slaan: 00, 01, 10 en 11. Het lijkt echter een logistieke en technologische nachtmerrie om veel cellen tegelijk te beschrijven, omdat ze elkaar zouden kunnen beïnvloeden. Dat valt mee, zegt CTO Justin Ratner. ’We kunnen op een redelijk groot chipoppervlak de verwarmingsprocessen onder controle houden, bij snelheden die commercieel interessant zijn.‘
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
