Plastic ferro-elektrisch geheugen krijgt upgrade

Fysici van het Groningse Zernike Institute for Advanced Materials hebben een relatief makkelijk te produceren niet-vluchtig geheugen ontwikkeld. De actieve laag van de diode bestaat uit een mengsel van een ferro-elektrisch en een halfgeleidend polymeer dat zich laat beschrijven en uitlezen via een raster van draadvormige elektrodes. De Groningse onderzoekers denken dat op basis van hun werk goedkope plastic geheugens te maken zijn. Ze hebben patent op de vinding gekregen.

Een klassiek ferro-elektrisch geheugen heeft een condensatorstructuur: een anorganisch ferro-elektrisch materiaal gesandwicht tussen twee elektroden. De geheugenwerking is gebaseerd op de elektrische polarisatie van het ’broodbeleg‘, die twee waarden kan aannemen. Het uitlezen gebeurt door een stroompuls te geven en de reactie van de condensator te peilen. Gaat er een grote stroom lopen, dan is de polarisatie omgepoold, waaruit de toestand van de geheugencel van vóór de puls blijkt. Het alternatief is dat de grote stroom uitblijft, hetgeen net even goed de toestand van de condensator verraadt.

’Het probleem van dit geheugentype is dat de stroom die gaat lopen bij het ompolen, de geheugencel wist. Daarom moet de cel opnieuw beschreven worden na het uitlezen‘, vertelt hoogleraar Paul Blom van de Rijksuniversiteit Groningen. Hij leidde het onderzoek op zijn afdeling, die zich bezighoudt met de fysica van organische halfgeleiders. ’Het liefst wil je een geheugencel uitlezen zonder de inhoud te wissen, door bijvoorbeeld een weerstand uit te lezen zonder dat daarbij de polarisatie van het ferro-elektrisch materiaal verandert‘, aldus Blom.