Onderzoekers van de University of Illinois (UI) hebben Mesfets (Metal-Semiconductor Field Effect Transistors) gemaakt met kanalen van vlakke, defectvrije nanodraden van galliumarsenide. Daartoe hebben ze een speciaal groeiproces ontwikkeld dat geen gebruik maakt van lithografie.’Met ons proces hebben we controle over de dimensies en oriëntatie van de nanodraden, maar het is compatibel met bestaande circuitontwerp- en fabricagetechnieken‘, zegt Xiuling Li van de UI. Het proces is bovendien opschaalbaar.
Het Amerikaanse team maakte de ’linten‘ van galliumarsenide met behulp van metal organic vapor deposition en een goudkatalysator. De diameter ervan bedroeg tweehonderd nanometer, maar dat kan wel een factor veertig kleiner, denken de researchers. De rest van de transistor werd overigens wel met conventionele technieken gefabriceerd.
In eerder werk hadden de onderzoekers al laten zien dat ze de draden gecontroleerd konden overbrengen op een ander substraat. Deze keer lieten ze hen liggen en fabriceerden ze de transistoren ’eromheen‘.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
