Imec integreert nanodraad-transistoren in cmos

Imec heeft op de IEDM 2016, deze week in San Francisco, cmos op basis van verticaal gestapelde gate-all-around (gaa) nanodraad-mosfets gepresenteerd. Eerder dit jaar toonde het Leuvense instituut al aparte n- en p-fets van dit type, nu is het gelukt ze te integreren in één ic.

Gaa-fets gelden als een van de belangrijkste opties voor 7-nanometerchips en verder. Ze zijn ze een natuurlijke voortzetting van finfets. Het verschil is dat een finfet één gedeeltelijk omsloten stroomkanaal telt, gaa’s meerdere volledig omsloten stroomkanalen. Dit voor maximale aan-stroom en relatief kleine lekstromen.