Promotie

Meer vermogen voor elektronlithografie door kleinere beeldafwijkingen

Pieter Edelman
Reading time: 4 minutes

Het maskerloos fabriceren van IC‘s is vooralsnog een droom van de halfgeleiderwereld. In de optische kolom gaan nu veel elektronen verloren als gevolg van maatregelen die aberratie tegengaan. TU Delft-promovenda Yanxia Zhang sleutelde bij Mapper aan een verbeterd optisch systeem voor elektronenschrijven met honderd parallelle elektronenbundels. Door een kleinere aberratie is het doorgelaten vermogen flink hoger.

De opstartkosten van IC-productie stijgen sterk met elke verkleiningsstap van de halfgeleiderindustrie. Gedeeltelijk zit dit in de lopende kosten, bijvoorbeeld van apparatuur en de cleanrooms waarin die moet staan. Het grootste struikelblok vormen echter de maskersets waarop de lithografiepatronen staan. Die kunnen vandaag de dag al gauw enkele miljoenen kosten. Bij kleine volumes valt een eigen chip daarom al snel buiten het budget. Lithografie zonder de dure maskers zou de kosten drastisch kunnen verlagen. Alhoewel dit in de markt nog weinig succesvol is, blijft de geest van maskerloos daarom rondwaren.

Het Delftse Mapper Lithography wist onlangs een proefmodel van zijn maskerloze tool te slijten aan foundry TSMC, die met 110 parallelle elektronenbundels IC‘s op het 22-nanometerknooppunt gaat schrijven. Om tot een productieapparaat te komen, is echter nog een flinke dosis ontwikkeling nodig. Aan de TU Delft en bij Mapper ging Yanxia Zhang de afgelopen vier jaar op zoek naar een beter systeem.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.

Login

Related content