Microjuweeltjes

In de nieuwsbrief van vaktijdschrift IEEE Electron Device Society (EDS) verschijnt over enige tijd een kleine serie getiteld ‘Marvels of microelectronic engineering’. De artikelen behandelen de onverwachte briljante uitvindingen die in vijftig jaar device-miniaturisatie niet expliciet op de verlanglijstjes stonden van de halfgeleiderfabrikanten. De toevallige ontdekkingen en ideeën van dwarsdenkende ingenieurs, dus. Het harde werk en het uithoudingsvermogen om de ITRS en zijn opvolgers elke keer voort te zetten, waardeer ik zeer, maar het zijn deze onverwachte briljantjes die me in het bijzonder fascineren.

Boven aan mijn lijst staat de sidewall spacer, die zijn oorsprong vindt in een ongewenst effect uit de kinderjaren van de chiptechnologie. Als je laagjes van diëlektrica of metaal deponeert op een wafer met een topografisch oppervlak en vervolgens deels weer weghaalt door anisotroop te etsen, blijven er resten materiaal achter aan de zijkanten van opstaande structuren. In het geval van de eerste generatie interconnecties, geëtste aluminium banen, resulteerde dat in kortsluitingen, die je met een extra isotrope etsstap moest verhelpen.