Franse start-up claimt MRam-doorbraak

Crocus Technology zegt een MRam-geheugen te hebben ontwikkeld dat werkt met Spin Torque Transfer (STT). Daarmee zou de start-up de schalingsproblemen hebben opgelost die het al sinds de jaren negentig in ontwikkeling zijnde geheugentype plagen. Voor MRam-cellen kleiner dan 90 nanometer bleek het uitermate moeilijk om voldoende schrijfveld te genereren om nullen in enen en vice versa te veranderen. Als dat probleem niet zou worden opgelost, zou het niet-vluchtige magnetische geheugen nooit de strijd kunnen aangaan met andere geheugens.

Een uitweg is al enige tijd bekend: gebruik SST, waarbij de cellen met spingepolariseerde stroompjes worden bewerkt. Tot dusver bleek deze alternatieve schrijfmethode echter niet praktisch, omdat het te hoge stroomsterktes vereiste. Het bedrijfje onder de vleugels van CEA in Grenoble heeft daar kennelijk een mouw aan weten te passen, maar geeft daarover geen details prijs.