Onderzoekers van de TU Delft hebben een silicium dunnefilmzonnecel ontworpen met bijna perfect lichtmanagement. De theoretische limiet van technieken om de absorptie te verbeteren ligt op 4n2 (n is de brekingsindex) en de Delftenaren benaderen die tot op 99 procent, voor 35 micron dikke wafers in het golflengtegebied van vierhonderd tot twaalfhonderd nanometer. Het is voor het eerst dat de theoretische limiet experimenteel is geëvenaard.
Dit resultaat werd bereikt door op de voorkant een speciaal type nanogetextureerd silicium aan te brengen, genaamd zwart silicium, en de achterzijde te larderen met willekeurige piramidestructuren. Bijna al het licht dat niet in eerste instantie wordt geabsorbeerd wordt daarom intern gereflecteerd en uiteindelijk alsnog geabsorbeerd.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
