Onder aanvoering van STMicroelectronics gaan vijftien academische en industriële partners samenwerken aan silicium-germanium heterojunction bipolaire transistoren (SiGe HBT‘s). Het doel van het Dotfive-project is om ze op 0,5 THz te laten draaien, zo‘n 200 GHz meer dan nu lukt bij kamertemperatuur. Het project krijgt 9,7 miljoen euro subsidie van het Europese Zevende Kaderprogramma, op een totaalbudget van 14,75 miljoen euro. Het loopt tot 2011.
SiGe HBT‘s zijn interessant voor communicatietoepassingen zoals 60 GHz WLan. Ook staan ze in de belangstelling voor nieuwe imaging-, radar- en sensorsystemen die gebruikmaken van elektromagnetische straling in het millimetergebied. Het Dotfive-persbericht noemt automotive-radar als voorbeeld van een toepassing in opkomst. Ook chips op basis van III-V-halfgeleiders kunnen deze hoge-frequentie-, laag-vermogentaken op zich nemen, maar SiGe HBT-transistoren halen een hogere dichtheid en laten zich goedkoper integreren.
Behalve ST doen onder meer ook mee Infineon, Imec en het Duitse IHP (Innovations for Highperformance Electronics). De meeste academische deelnemers komen uit Duitsland en Frankrijk.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
