Technieuws

Engelse onderzoekers dichten gaten in grafeentransistoren

Reading time: 2 minutes

Een team van de University of Manchester is erin geslaagd transistoren van grafeen lekvrij te maken. Daarmee zetten de onderzoekers naar eigen zeggen een belangrijke stap voorwaarts in de ontwikkeling van een CMos-vervanger gebaseerd op koolstof.

Grafeen hoort bij de fullerenen, waar ook buckyballen en nanobuisjes toe behoren. De naam is afgeleid van grafiet, dat bestaat uit tweedimensionale laagjes van koolstofatomen die geordend zijn in zeshoeken. De atomaire vlakken plakken losjes aan elkaar. Bij grafeen ontbreken de dwarsverbindingen. De verbinding wordt vanwege zijn chemische en mechanische eigenschappen als sinds jaar en dag als supersterk flexibel materiaal van de toekomst genoemd.

Grafeen weet de aandacht vooral op zich te vestigen dankzij zijn elektronische eigenschappen. Enkele jaren geleden beschreef de groep uit Manchester de eerste primitieve schakelaars van het koolstofmateriaal. Erg goed functioneerden die nog niet: in de ’uit-stand‘ liep er nog zoveel stroom doorheen dat van schakelen eigenlijk geen sprake is. Het materiaal was daarom nog een heel eind verwijderd van de gedroomde status als opvolger van silicium.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.

Login

Related content