‘FD-SOI verslaat Finfets op energieverbruik’

Finfets vormen niet het beste antwoord op het toenemende energieverbruik van chips: fully depleted silicon-on-insulator-technologie (FD-SOI) presteert veel beter. Dat rekent Asen Asenov, hoogleraar aan Glasgow University en CEO van Gold Standard Simulations, voor in zijn blog. Volgens Asenov kunnen 28-nanometer-FD-SOI-chips de concurrentie met 22-nanometer-Finfets makkelijk aan. ’FD-SOI […] wordt absoluut een verbluffende technologie.‘

Finfet- en FD-SOI-transistoren zijn twee verschillende oplossingen voor hetzelfde probleem: naarmate de schakelaars kleiner worden, gebruiken ze meer stroom in de uit-stand. Bij Finfets nemen chipmakers afscheid van de traditioneel min of meer vlakke transistorstructuur. Door de gate om het stroomkanaal heen te vouwen, wordt de uit-stroom beter afgeknepen. FD-SOI bereikt dezelfde fully depleted (van ladingsdragers ontdane) uit-toestand dankzij een isolerende laag die in de wafer zit ingebakken, vlak onder de transistoren. Anders dan bij Finfet is de opbouw van deze schakelaars ruwweg dezelfde als bij vlak CMos.

Gekende proponent van SOI-technologie is STMicroelectronics, dat onlangs zijn 28-nanometerproces lanceerde. Het maakt SOI-chips op kleine schaal in zijn eigen fabriek in Crolles en besteedt massaproductie uit aan Globalfoundries, dat het proces ook aan andere klanten aanbiedt.