Franse onderzoekers hebben een nieuwe barrière geslecht om nanodraadjes als transistoren te gebruiken. Bij eerdere ontwerpen was de gatelengte – een kritieke dimensie – meestal veel te hoog om praktisch te zijn, maar de veertien nanometer die Guilhem Larrieu (Universiteit van Toulouse) en Xiang-Lei Han (Universiteit van Lille) nodig hebben, is alleszins acceptabel.
In een nanodraadtransistor is de gate idealiter volledig om het draadvormige stroomkanaal gevouwen, zodat de stroom optimaal kan worden afgeknepen. De Franse onderzoekers laten in hun artikel in Nanoscale zien dat een stukje van veertien nanometer rondom een nanodraad van dertig nanometer breed en tweehonderd nanometer lang genoeg is voor een goede transistorwerking. De dimensies kunnen bovendien nog verder worden verkleind.
Er hoefde geen geavanceerde lithografische technieken te worden aangewend om de nanodraadtransistors te fabriceren. De Fransen etsten een ’woud‘ van 225 draden uit een stuk gedoteerd silicium, en vulden de ruimte ertussen vervolgens weer op. Eerst met een isolator, daarna een veertien nanometer dik laagje chroom, en daarna weer een isolator. De lengte van de gate wordt dus bepaald door de dikte van de chroomlaag.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
