Globalfoundries presenteert HKMG-transistoren op 22 nm en kleiner

Op het VLSI Technology-symposium in Tokio heeft Globalfoundries een techniek laten zien die het mogelijk maakt om hoge-k-metalen-gate-transistoren te maken voor het 22-nanometerknooppunt en verder. De AMD-spin-off ontwikkelde het proces om n-Mosfets met een equivalent oxide thickness (EOT) van 0,55 nanometer en p-Mosfets met een EOT van 0,7 nanometer te maken. Andere onderzoekers wisten niet te voorkomen dat de prestaties van de schakeling inzakten met hun pogingen om de EOT te reduceren naar een niveau dat compatibel is met de volgende generaties transistoren, zegt Globalfoundries.