Riber, een Franse specialist op het gebied van moleculaire bundelepitaxy (MBE), heeft zich aangesloten bij het Imec-onderzoeksprogramma aan germaniumschakelingen en III-V-materialen. Doel van het Leuvense project is de metalen te gebruiken voor CMos-processen onder de 22 nanometer. Wetenschappers verwachten dat silicium op die schaal niet meer goed zal werken. Germanium is daar een aantrekkelijk alternatief. Door zijn hoge elektronenmobiliteit heeft dat materiaal een lagere intrinsieke gatevertraging, wat het zeer geschikt maakt voor geavanceerde CMos-schakelingen.
Leuvense researchers krijgen de beschikking over Ribers MBE-systeem in ultrahoog vacuüm voor 200 mm. Het apparaat bevat een groeikamer voor III-V-materialen en een depositiegedeelte voor metaaloxides. Een belangrijke uitdaging is de verbetering van de gatestack voor Mos-schakelingen op germanium. Het Riber-systeem speelt een cruciale rol in het vinden van een oplossing, denken de twee bedrijven.
Behalve Riber nemen ook Imec-kernpartners Infineon, Intel, Matsushita/Panasonic, Philips, Samsung, STMicroelectronics, Texas Instruments en TSMC deel aan het Leuvense industrial affiliation program (IIAP) voor germanium en III-V-schakelingen.