Imec en partners hebben veelbelovende resultaten behaald met een nieuw type euv-fotolak, gebaseerd op een metaaloxide. Op de SPIE Advanced Lithography Conference, deze week in San Jose, presenteren zij een patroneringsproces met behulp van een resist gemaakt van een metaaloxide, dat met succes in Imecs minifab is getest voor productie van uitdagende chipstructuren. Dit proces is ook nog eens eenvoudiger dan de procedures die tot nu toe werden gebruikt.
Hoewel de lichtbron doorgaans wordt beschouwd als het grootste obstakel voor invoering van euv-lithografie in geavanceerde halfgeleiderproductie, moeten er ook in de omringende infrastructuur nog stappen worden gemaakt. Bijvoorbeeld met de maskers, reticles en fotolak.
Imec is bij uitstek een instituut dat dit soort problemen oppakt. Vorig jaar kondigde het een fotolak-joint venture aan met het Japanse chemiebedrijf JSR. De details zijn inmiddels uitgewerkt en maandag werd de naam van het nieuwe bedrijf bekendgemaakt: het EUV Resist Manufacturing & Qualification Center, gevestigd bij JSR in Leuven.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
