Intel demonstreert 45 nm-chip

Onderzoekers van Intel zijn erin geslaagd een volledig werkende 153 Mbit SRAM-chip te vervaardigen op basis van 45 nm-technologie. De chipgigant claimt hiermee de eerste te zijn. De productie van de relatief eenvoudige SRAM-geheugens is de eerste stap op weg naar massaproductie. Intel zegt op schema te liggen om 45 nm in 2007 in productie te hebben.

Intels 45 nm-geheugenchip bevat meer dan 1 miljard transistoren. De technologie moet zorgen voor een vijf keer lager lekvermogen. Hierdoor kunnen ontwikkelaars hun schakelingen verkleinen en krachtigere platforms bouwen.

Intel is marktleider in de productie van 65 nm-chips. In de D1D-fab in Oregon treft Intel al voorbereidingen voor 45 nm-productie. Verder staan er twee fabrieken op de planning die specifiek bedoeld zijn voor de volgende generatie halfgeleiders: Fab 28 in Israël en Fab 32 in Arizona. Overigens maakte Intel bekend voor de 45 nm-generatie geen gebruik te maken van 193 nm-immersielithografie. ‘s Werelds grootste chipfabrikant wil de bestaande droge 193 nm-scanners updaten om ook 45 nm-laagjes te kunnen maken. Dat meldde Mark Bohr, senior fellow en directeur procesarchitectuur bij Intel.