Onderzoekers van de University of Wisconsin-Madison hebben transistoren op basis van koolstofnanobuizen vervaardigd die – in de beste gevallen – silicium naar de kroon steken wat betreft stroomdichtheid in de aan-stand. Ze hoefden daarvoor geen exotische processen te gebruiken, maar de eindproducten vertonen nog grote variabiliteit.
Hoewel koolstofnanobuizen veel beter geleiden dan silicium, is het toch moeilijk om er transistoren van te maken die net zo snel zijn – laat staan sneller. Meerdere buizen bij elkaar geleiden namelijk meestal niet geweldig, omdat het lastig is goed elektrisch contact te maken met de buizenbundels. Per transistor keurig één nanobuis neerleggen als stroomkanaal is slechts op papier een mogelijkheid, maar ondoenlijk als je iets anders dan het meest simpele ic probeert te maken.
Door middel van assemblage in de vloeistoffase en een chemische nabehandeling slaagden de Amerikanen erin een film van koolstofnanobuizen neer te leggen die wel vlotte transistoren opleverde. De beste geleidden twee keer zo goed als hun silicium equivalent.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
