MIT verlaagt energiegebruik SRAM drastisch

Op de International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) in San Francisco heeft het Massachusetts Institute of Technology met steun van Texas Instruments een statisch RAM-geheugen met een zeer laag energieverbruik laten zien.

De MIT-onderzoeksgroep zegt dat zijn 256 kbit SRAM werkt met een voedingsspanning van 0,4 volt. Daarmee verbruikt de geheugenchip 2,25 keer minder lekvermogen dan de SRAM‘s met een voedingsspanning van 0,6 volt. De onderzoekers claimen dat 0,4 volt de laagste voedingsspanning is voor een volledig functioneel SRAM.

Om één bit stabiel op te slaan heeft MIT de bitcel uitgebreid tot tien transistoren. Dit verbetert de toleranties en zo blijft de produceerbaarheid en variabiliteit beheersbaar. Conventionele SRAM-geheugens hebben zes transistoren nodig voor één bit.