Het Australische 4DS zegt het ’universele‘ geheugen RRam (Resistive Ram) gereed te hebben voor productie. De start-up zoekt daarom een partner om de fabricage voor zijn rekening te nemen. Als dat lukt, zou RRam binnen twee jaar op de schappen kunnen liggen, denkt 4DS.
RRams hebben in essentie een DRam-structuur waarin de condensator is vervangen door een weerstand die kan schakelen tussen een toestand van hoge weerstand en een van een lage. Verschillende metaaloxides vertonen dit gedrag, maar het is nog niet helemaal duidelijk welk fysisch effect daar verantwoordelijk voor is. Een hypothese is dat er zich geleidende kanaaltjes vormen wanneer het oxidelaagje onder een voldoende grote spanning staat.
De ’doorbraak‘ van 4DS mag gerust met een korreltje zout genomen worden. Geheugenfabrikanten hebben tevergeefs vele onderzoeksmiljoenen gestoken in RRam, dat met faseveranderingsgeheugen en MRam (Magnetoresistive Ram) in de race is de opvolger van flash met de snelheid van DRam. De start van een RRam-programma bij Imec vorig jaar bewijst desalniettemin dat de technologie niet dood is.
