Samsung heeft een 64 gigabit multilevel Nand-flashchip ontwikkeld op 30 nanometer. De Koreaanse halfgeleiderfabrikant gebruikt daarvoor double patterning (DP), dat met twee belichtingsstappen werkt.
Samsung past een proces dat het self-aligned double patterning technology (SADPT) noemt. Daarin staan de als eerst aangebrachte structuren met opzet verder uit elkaar dan technisch mogelijk is. De chipmaker vult de additionele vrije ruimte op in de tweede stap, om structuren te maken met een hogere dichtheid dan chipmachines kunnen maken met een enkele belichtingsronde. De maximale resolutie van bijvoorbeeld ASML‘s machines is 36,5 nanometer. Samsung zegt dan ook zijn lithografische apparatuur niet te hoeven upgraden, al gaan de flashchips pas in 2009 in commerciële productie.
Door een combinatie van zestien 64 gigabit Nand-chips is een geheugen te maken van 128 gigabyte. Dat is genoeg om tachtig films in dvd-kwaliteit of 32 duizend MP3-bestanden op te slaan. De Koreaanse chips met zulke opslagcapaciteit zullen gretig aftrek vinden, verwacht Gartner Dataquest. De marktanalist voorspelt dat Samsung voor 14 miljard euro aan IC‘s de deur uit doet in de periode 2009 tot 2011.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.