Onderzoeksconsortium Sematech heeft de defectdichtheid op EUV-maskers teruggebracht tot 0,04 per vierkante centimeter. Dat is iets sneller dan verwacht. In de door Sematech zelf opgestelde roadmap stond het bereiken van deze defectdichtheid geprojecteerd voor halverwege 2008. Het EUV-kamp haalde deze ontwikkeling binnen als een overwinning. Sematech sprak van een ’mijlpaal‘.
Naast het opkrikken van het vermogen van lichtbronnen en het in toom houden van het trio gevoeligheid, resolutie en line edge roughness is het produceren van defectvrije maskers een van de meest urgente problemen in de ontwikkeling van EUV-productiemachines. Bij elke resolutie is het toelaatbaar aantal defecten en vuiltjes per oppervlakte-eenheid gebonden aan een maximum. Hoe hoger de resolutie, hoe strenger de eisen aan de properheid van het masker.
Het probleem is om de aanwezigheid van defecten routinematig te meten. Daarvoor zijn zeer geavanceerde metrologische tools nodig, waarvoor Sematech het Japanse Lasertec uitkoos. Het CNSE in Albany huisvest Sematechs centrum voor maskerontwikkeling. Deze twee organisaties verdienen dan ook een deel van de eer. Maar hoeveel eer valt er eigenlijk te verdelen?
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.