Onderzoekers bij Sematech hebben EUV-maskers gemaakt met nul defecten op 100-nanometerniveau. Ook hebben zij aangetoond dat het proces dat zij hebben ontwikkeld in staat is om hetzelfde te doen op 50-nanometerniveau.
Een lage defectdichtheid op het masker is, samen met het vermogen van de lichtbron, een van de grootste obstakels voor introductie van EUV in commerciële productie. Daarom prijst Sematech zijn recente resultaten als een ‘mijlpaal’. ‘Sematechs alomvattende programma blijft de resultaten produceren die onze leden en de industrie nodig hebben om te laten zien dat EUV-lithografie manufacturable is’, aldus Lithografie-manager Kevin Cummings van Sematech.
EUV-maskers bestaan uit nanolagen van afwisselend silicium en molybdeen – Sematech deed zijn proeven met veertig van elk. Tijdens de depositie van deze elementen kunnen defecten ontstaan die het het masker vrijwel nutteloos maken. Daarnaast kunnen er stofjes op landen met hetzelfde effect. Sematech verfijnde daarom de depositie- de schoonmaaktechnieken van het masker.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.