Sematech ontwikkelt EUV-fotolak voor 22 nm

Onderzoeksconsortium Sematech heeft een zogenaamde chemisch versterkte EUV-fotolak ontwikkeld die goed genoeg is voor chips met een half-pitch van 22 nanometer. Zelfs structuurtjes kleiner dan 20 nanometer liggen in het verschiet, zo laten de Amerikanen weten in een persbericht. ’Deze resultaten betekenen een mijlpaal in de ontwikkeling van EUV-lithografie‘, aldus vicepresident John Warlaumont van Sematechs afdeling Advanced Technology.

Een van de knelpunten van EUV is het compromis dat gesloten moet worden tussen resolutie, line width roughness (LWR) en gevoeligheid. Ook Sematech kreeg die drie parameters niet gelijktijdig op acceptabele waarde. Bij acceptabele resolutie en gevoeligheid, bleek de LWR op een veel te hoge vijf tot zes nanometer uit te komen. Een chemische ’nabewerking‘ bood echter soelaas. Daarmee hebben de Amerikanen een prestatie neergezet die ’experts slechts een paar jaar geleden nog voor onmogelijk hielden‘, aldus Chawon Koh, die de ontwikkeling van de fotolak leidde.

EUV kampt verder nog met de sterkte van de lichtbron en de maskertechnologie. Op de toonaangevende vakbeurs Semicon West deze zomer werd gespeculeerd dat de technologie ook voor het 22-nanometerknooppunt niet op tijd gereed zou zijn. Wat dat betreft steekt Sematech met zijn bericht de EUV-ontwikkelaars een hart onder de riem.