Spinstroom overtuigend gemanipuleerd

Een internationaal onderzoeksverband heeft het Spin Hall Effect (SHE) in galliumarsenide flink weten op te peppen en daarmee spintronica een stapje dichterbij toepassing gebracht.

Met het SHE kunnen zogenaamde spinstromen elektrisch worden gemanipuleerd. Het voordeel van spinstromen is dat ze informatie door de vaste stof kunnen transporteren zonder dat er warmte vrijkomt, zoals bij de verplaatsing van lading. De sterkte van het SHE is echter sterk afhankelijk van de elektronische structuur van het betreffende materiaal, en in veel halfgeleiders eigenlijk te laag.

Via een omweg hebben onderzoekers het SHE in galliumarsenide een factor veertig verbeterd. Zij deden dat door discrete toestanden – ‘valleien’ – in de bandstructuur van de halfgeleider te induceren. Elektronen die daar doorheen hoppen zijn aanzienlijk makkelijker te manipuleren.