Theorie atoomstructuur galliumnitride onjuist

Het oppervlak van kubisch galliumnitride blijkt anders te zijn dan onderzoekers eerder dachten. Dat zeggen onderzoekers van de universiteiten van Barcelona en Ohio. Ze vergeleken experimentele resultaten van elektrondiffractie- en STM-studies met voorspellingen uit standaardmodellen. Voor een groot deel kwamen die overeen, maar er is een belangrijk verschil. Tot nu toe dachten wetenschappers dat de galliumatomen waren geclusterd in groepjes van vier, afgewisseld door een atoom in de andere richting. De resultaten van het onderzoek , dat verscheen in Physical Review Letters, duiden echter op een opeenvolging van steeds vier en drie atomen. Galliumnitride (GaN) is een veelbelovende nieuwe halfgeleider voor blauwe lasers en LED‘s. Doorgaans gebruiken engineers zeshoekig GaN omdat deze kristallen beter groeien dan de vierkante variant. Kubisch galliumnitride sluit echter beter aan op gebruikelijke materialen.

De onderzoekers denken dat ze de productie van het materiaal met dit onderzoek kunnen vereenvoudigen en verbeteren. Bovendien krijgen ze meer inzicht in de basale eigenschappen, een vereiste om het op grote schaal te gebruiken.