Intels 10-nm-tech: kwantumputten en nieuwe materialen

Intels 10-nanometertransistoren krijgen een quantum well-finfetstructuur en herbergen germanium en III-V-halfgeleiders. Dat voorspelt analist David Kanter van Real World Technologies op basis van onderzoek dat Intel heeft gepubliceerd. Andere halfgeleiderfabrikanten gaan pas een generatie later over op deze aanpassingen, aldus Kanter.

Sinds het begin van deze eeuw moeten regelmatig fundamentele veranderingen in de procestechnologie van geavanceerde chips worden doorgevoerd om te kunnen blijven krimpen. Na strained silicon (90 nm), nieuwe gatediëlektrica (45 nm) en de driedimensionale gatestructuur van finfets (22 nm) wordt al enige tijd gespeculeerd over de noodzaak en aard van nieuwe maatregelen, maar chipmakers houden hun kaarten meestal dicht tegen de borst.

In quantum well-transistoren worden ladingsdragers gedwongen zich in twee dimensies te bewegen door een smal stroomkanaal in te klemmen tussen een materiaal met een grotere bandovergang. Daardoor, en vanwege het feit dat er geen doteringen zijn, bewegen elektronen en gaten zich er gemakkelijk doorheen en worden lekstromen beperkt. Ook gebruik van germanium en III-V-halfgeleiders in plaats van silicium moet de mobiliteit van elektronen en gaten verbeteren.