Onderzoekers van Infineon en Imec zijn erin geslaagd een niet-vluchtig flashgeheugen te maken op basis van nitride die geen last heeft van eerdere problemen met dat materiaal. Nitride is interessant vanwege het eenvoudige productieproces en omdat het ladingen zeer nauwkeurig op een plek kan vangen. Voor schrijven en wissen zijn echter gaten nodig die nitridegeheugens instabiel en onbetrouwbaar maken.
De gaten zorgden voor een onstabiele drempelspanning. Ook kon het gebeuren dat bits versprongen tijdens het schrijven en wissen. Nitridegeheugens konden daardoor alleen in specifieke sectoren de concurrentie aan met standaard flash. Die problemen hebben de researchpartners nu opgelost. Met de nieuwe technologie van Infineon en Imec kan nitride wel breed de strijd aan met flash.
De nieuwe techniek maakt het voor het eerst mogelijk om elektronen en gaten nauwkeurig en onafhankelijk te extraheren. De profielen van schrijf- en wisacties passen precies op elkaar. Een injectie van elektronen (schrijven) is daardoor exact op te heffen met een injectie van gaten (wissen). Omdat de overlap zo nauwkeurig is, is de drempelspanning constant en gaan bits niet verloren bij schrijven en wissen.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
