Intel en Micron claimen op het punt te staan een compleet nieuw type geheugen te introduceren dat opslag en werkgeheugen samenbrengt. De bedrijven claimen dat hun ‘3D Xpoint’-geheugen tot maar liefst duizend keer sneller is dan nand-flash en daarmee met zijn prestaties in de buurt komt van dram, maar tegelijkertijd een tien keer hogere dichtheid heeft dan dram en daarmee de prijs van nand-flash benadert, terwijl het net als flash ook nog eens niet-vluchtig is. De eerste producten zullen volgend jaar de weg naar de markt vinden.
Het geheugen is een vorm van resistive ram (reram). De ‘Xpoint’ (spreek uit: crosspoint) verwijst naar de architectuur; op het kruispunt van twee draden ligt een geheugenmateriaal waarvan de weerstand verandert onder invloed van een stroompje. Op deze manier zijn, in tegenstelling tot bij nand-flash, individuele geheugencellen te adresseren. Bovendien laat de architectuur hoge dichtheden toe; transistoren komen er niet aan te pas en de lagen zijn simpel te stapelen door de bovenste laag draden te hergebruiken als de onderste laag van een nieuwe stapel. Overigens hebben de bedrijven geen details vrijgegeven over de gebruikte materialen of processen.
Op het moment hebben de bedrijven een geheugen-die met twee stapels in de maak, goed voor 128 gigabit. Intel en Micron zullen allebei hun eigen producten ontwikkelen. In eerste instantie zal het gaan om een sneller (en duurder) type ssd voor high-end toepassingen. Op den duur denken de bedrijven echter dat het geheugen een fundamentele andere computerarchitectuur mogelijk maakt. Intel en Micron zijn overigens niet de enige die hieraan werken, ook bijvoorbeeld HP’s The Machine-initiatief combineert opslag en werkgeheugen.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
