Transistorvariaties en Finfets geven NXP podium op IEDM

Twee papers van NXP Research heeft de organisatie geaccepteerd voor presentatie op de prestigieuze International Electron Devices Meeting (IEDM). Deze wisselt normaal gesproken stuivertje tussen San Francisco en Washington, maar was dit jaar wegens renovaties aan de Washingtonse locatie even verderop te vinden in Baltimore. De conferentie voor alles wat met bewegende elektronen en hun toepassingen te maken heeft, is berucht om het lage percentage voorstellen dat door de keuring komt. De onderzoekers van NXP moeten dus wel een prestatie van formaat hebben neergezet. Waarmee zijn zij vorige week afgereisd naar de Amerikaanse oostkust?

Het eerste paper gaat over de willekeurige variaties in transistoreigenschappen, die zich steeds vaker vertalen in een prestatiespreiding onder verder identiek veronderstelde CMos-schakelingen. ’Zo laten metingen aan CMos-transistoren zien dat stromen maar liefst een factor tien kunnen variëren. Tot op heden werd aangenomen dat variaties in het aantal doteringsatomen in het kanaal daarvoor verantwoordelijk zijn‘, zegt coauteur Hans Tuinhout, senior principal scientist bij NXP. Hij en zijn collega‘s ontdekten dat gatediëlektrica er een veel belangrijkere rol bij spelen dan tot nu toe bekend was.