In een poging om nanodraadjes te maken, zijn onderzoekers van IBM en het National Institute of Standards and Technology (Nist) per ongeluk gestuit op een nieuwe manier om nanostructuren te fabriceren. Het blijkt dat ‘nanodruppeltjes’ van goud kaarsrechte kanaaltjes in een III-V-halfgeleideroppervlak kunnen trekken. Deze nanogeultjes kunnen bijvoorbeeld worden gebruikt om lasers en andere optische componenten in lab-on-chip-devices te integreren. Ook toepassingen in de halfgeleiderfabricage zijn denkbaar.
Nader onderzoek leerde dat het proces alleen op gang komt als er een beetje waterdamp aanwezig is. Op het grensvlak van de gouddruppeltjes en de halfgeleider oxideert water de halfgeleider, waarna de reactieproducten verdampen en het bolletje een stukje opschuift. De kristalstructuur van de halfgeleider dicteert de richting waarin de kanaaltjes groeien.
De onderzoekers hebben het etsproces getest op indiumfosfide, indiumarsenide en galliumfosfide, maar zij denken dat met enkele aanpassingen ook silicium en andere materialen bewerkt kunnen worden.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
