Vishay breidt zijn familie van Gen III Trenchfet-vermogensmosfets uit met een nieuwe 25 V n-kanaals-versie in een Powerpak SO-8-behuizing. De Siliconix Sir476DP heeft een maximale geleidingsweerstand van 2,1 mΩ bij een gatedrive van 4,5 V en 1,7 mΩ bij 10 V. De geleidingsweerstand maal de poortlading bedraagt bij 4,5 V 89,25 nC.
Verder komt Vishay ook met de 25 V n-kanaals Mosfets SiR892DP en SiR850DP. Bij 4,5 V bedraagt de geleidingsweerstand respectievelijk 4,2 en 9 mΩ, bij 10 V respectievelijk 3,2 en 7 mΩ, met typische poortladingen van 20 nC en 8,4 nC. Vishay levert alle drie de mosfets in een Powerpak SO-8-behuizing.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.