Leds en powerelektronica zouden zuiniger kunnen worden nu het gedrag van beryllium in galliumnitride-kristalroosters is opgehelderd.
De dotering van halfgeleiders met een grote bandovergang, zoals galliumnitride (GaN) en zinkoxide, is een vak apart. Voor silicium en galliumarsenide staan de beste doteringen direct links en rechts in het periodiek systeem, terwijl bijvoorbeeld voor GaN sinds jaar en dag magnesium als standaard p-dotering wordt gebruikt – een element dat ver links van gallium en stikstof staat. Deze deviatie van de standaardtheorie is nooit helemaal opgehelderd: nog steeds debatteren wetenschappers over hoe magnesium zich precies gedraagt in GaN.
Wel is duidelijk dat magnesium in galliumnitride zijn werk niet zo goed doet als doteringen in andere halfgeleiders. Dat is jammer, want GaN wordt op grote schaal toegepast in leds en in toenemende mate in powerelektronica. Betere dotering zou kunnen leiden tot forse energiebesparingen.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
