Door zelf te kiezen waar de breuklijnen in polysilicium terechtkomen en daar de plaatsing van schakelingen op aan te passen, wist de Delftse onderzoeker Ryoichi Ishihara ongekend goed presterende TFT‘s te maken.
Een beetje opmerkelijk is het wel, erkent universitair hoofddocent Ryoichi Ishihara van onderzoeksinstituut Dimes. Hij verruilde Tokio voor Delft om onderzoek te doen aan thin-film transistors (TFT‘s), terwijl Japan hét centrum van de wereld is op dat gebied. Maar toen hij een kleine vijftien jaar geleden als jonge postdoc de goed geoutilleerde cleanroom van Dimes aanschouwde, was er niet veel meer voor nodig om hem over de streep te trekken. Dimes op zijn beurt was op zoek naar een talentvolle onderzoeker die het maximale uit de gloednieuwe excimeerlaser zou halen. De cleanroom en de laser haalden Ishihara naar Delft, de vrijheid heeft hem daar gehouden, vertelt hij in knap Nederlands. ’In Japan is onderzoek meer een top-downaangelegenheid.‘
Op de International Electron Device Meeting (IEDM), bekend om zijn zeer strenge selectiebeleid, toonde de Delftse Japanner onlangs transistoren die niet op een ondergrond van kristallijn silicium waren aangebracht, maar wel als zodanig presteerden. De vele breuklijnen in het substraat deerden de schakelingen niet, vanwege het simpele feit dat Ishihara ervoor had gezorgd dat het hart van elke transistor precies op een breukvrij eilandje terecht was gekomen. Als het kanaal van een transistor op zo‘n zogenaamde korrelgrens terechtkomt, wordt de mobiliteit van elektronen of gaten ernstig aangetast. Voor de bron en afvoer is het minder erg, want door de hoge dotering zijn daar ladingsdragers zat.


