Eerste nanobuiscircuit gemaakt dat opereert in gigahertzregime

Van koolstofnanobuizen zijn transistoren gemaakt waar elektronen bijna niet harder doorheen kunnen zoeven, maar als van die transistoren geïntegreerde circuits worden gemaakt, blijven ze alsnog achter op silicium. Het tot voor kort beste nanobuis-ic opereerde bij een schrale 282 megahertz, een ordegrootte minder dan cmos. Onderzoekers van Peking University hebben het record nu met een factor twintig verbeterd, naar 5,54 gigahertz.

De verbetering is het resultaat van diverse tweaks aan de structuur van de schakelaars. Introductie van zogenaamde air gaps tussen source/drain- en gate-elektrodes leverde de meeste winst op, aangevuld door reductie van de gatelengte. De onderzoekers verwachten echter nog veel hogere frequenties te realiseren door zuivere en netjes uitgelijnde nanobuizen te gebruiken, in plaats van een film waarin verschillende soorten buizen kriskras door elkaar liggen.