Europa, NXP profiteert mee van groei GaN

’Silicium vermogenselektronica krijgt binnenkort serieuze concurrentie van galliumnitride‘, kopte EE Times half september. Het blad baseerde deze wijsheid op een presentatie van Michael Briere, voormalig CTO van International Rectifier en nu consultant. Dit bedrijf had nog geen week daarvoor aangekondigd een GaN-proces te hebben opgestart om vermogenselektronica te maken. De eerste prototypes waren al van de band gerold.

Wat te denken van Brieres uitspraken, die niet helemaal uit onverdachte hoek komen? Een poging om de business van zijn voormalig werkgever en ongetwijfeld huidige klant een duwtje in de rug te geven? Of een realistische blik in de toekomst? Het laatste lijkt het geval, en daarvan kunnen ook Europa – waar GaN-onderzoek achterloopt – en NXP in het bijzonder profiteren.

GaN-elektronica is traditioneel een aangelegenheid van de defensie- en ruimtevaartindustrie. Dat komt door de relatief grote bandgap, wat schakelingen van dit materiaal robuust maakt. Kosmische straling, hoge temperaturen en andere schadelijke invloeden deren GaN veel minder dan bijvoorbeeld galliumarsenide of silicium. Dit zijn typisch eigenschappen waar defensie en ruimtevaartorganisaties naar op zoek zijn.