Achtergrond

‘FERam heeft nog meer in zijn mars’

Reading time: 7 minutes

Ramtron maakte vorige maand bekend samen met Texas Instruments 130 nanometer ferro-elektrisch Ram-geheugen (FERam) in productie te nemen. Met een capaciteit van 4 Mbit heeft het nieuwe niet-vluchtige geheugen de hoogste dichtheid in zijn soort. ’Onze nieuwe chip en bijbehorend productieproces zijn een doorbraak‘, aldus senior vice-president FERam products Mike Alwais van Ramtron. Toch lijkt het geheugentype voor altijd tot de nichemarkten veroordeeld.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.

Login

Related content