TNO bouwt een meetopstelling om vervuilingsproblematiek in een euv-omgeving te bestuderen en te verhelpen.
Halfgeleiderproductie en stofjes gaan niet samen, dat is algemeen bekend. Introductie van euv-lithografie maakt dat probleem alleen maar groter. Waar voorheen betrekkelijk eenvoudig kon worden voorkomen dat alle deeltjes onder de drie micron worden afgebeeld op de wafer, vormen in een euv-proces veel kleinere deeltjes al een bedreiging. Het beheersen van contaminatie is dan ook een van de opdrachten die resteren om euv-lithografie naar de fab te brengen.
TNO pakt de handschoen op. Het onderzoeksinstituut bouwt in Delft een speciale meetopstelling, de EUV Beam Line 2 (EBL2), waarmee vervuilingsproblematiek in een euv-omgeving kan worden bestudeerd. Geïnteresseerde partijen kunnen zich er melden om uit te vogelen hoe ze hun euv-optiek, fotomaskers en pellicles (vliesjes die de maskers beschermen) schoon kunnen houden. Diverse chipfabrikanten hebben al interesse getoond, maar iedereen met een relevante onderzoeksvraag is welkom.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
