Grafeen vervangt silicium in flashgeheugen

Een onderzoeksteam van de University of California in Los Angeles en Samsung hebben grafeen gebruikt als de opslaglaag in een flashgeheugen. Het belangrijkste voordeel van deze materiaalwissel is dat geheugencellen in elkaars buurt niet meer elektrisch met elkaar interfereren, een probleem dat steeds nijpender wordt naarmate de cellen kleiner worden. Ook gebruikt het grafeen-flash minder stroom bij het lezen en schrijven en houdt het data tot tien jaar vast. Dat is nu de industriestandaard, maar ook die staat onder druk bij komende generaties. De volgende stap in het onderzoek is miniaturisering van het nieuwe type geheugen, want met structuren van 1 micrometer is het industrieel natuurlijk niet serieus te nemen.