Op het VLSI Technology-symposium heeft IBM voor het eerst details vrijgegeven over het gebruik van hoge-k-materialen en metalen gates in processoren. Volgens Kirklen Henson van de Device Group levert implementatie van hoge-k-technologie 20 procent snelheidswinst op, terwijl het lekstromen beperkt. Naar verwachting verschijnen volgend jaar de eerste 45-nanometer Power-processoren met het nieuwe type isolerend laagje in de gate stack. Daarna kunnen ook partners als AMD, Freescale, Infineon en Samsung ervan profiteren.
Chipmakers willen een isolerende laag in de stuurelektrode die niet lekt, die doorslag voorkomt én die een elektrisch veld goed doorlaat. Een dikke laag van een materiaal met een hoge diëlektrische constante, oftewel k, voldoet aan die voorwaarden. Onderzoekers hebben dan ook driftig het periodiek systeem afgespeurd naar geschikte kandidaten. Als het materiaal de gewenste eigenschappen heeft, moet het ook nog eens goed kunnen opschieten met silicium en de andere stoffen waaruit een chip is gemaakt.
IBM liet enkele maanden geleden al weten met hoge-k-technologie bezig te zijn. Het persbericht leek toen vooral bedoeld om Intel een hak te zetten, aangezien die de show dreigde te stelen met de aankondiging hoge-k-materialen in 45-nanometerprocessoren te gaan stoppen. Het bleef toen onduidelijk hoe en wanneer Big Blue de gepresenteerde resultaten zou gaan implementeren in zijn chips. Met de presentatie in Kyoto lost IBM nu zijn belofte in om nog dit jaar meer details bekend te maken over zijn plannen met hoge-k-materialen.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
