Imec geeft inkijkje in post-silicium-tijdperk

Op de IEDM 2015, deze week in Washington, presenteerde Imec diverse resultaten van zijn onderzoeksprogramma naar volgende generaties transistoren. Voor zogenaamde gate-all-around-schakelaars, gemaakt op silicium wafers maar met InGaAs als kanaalmaterialen, realiseerde het Leuvense onderzoeksinstituut een recordsteilheid bij 0,5 volt. Dit zegt iets over hoe sterk de stroomsterkte verandert als de spanning wordt aanpast. Cruciaal voor het resultaat was een nieuwe opbouw van de gate, waarin een met atoomlaagdepositie opgebrachte laag is verwerkt. Deze laag werd ontwikkeld door Imec-partner ASM International. Met de ‘concurrerende’ III-V-tunnelfet-technologie bereikte Imec een record-aan-stroom en stroom-spanningskarakteristieken die reguliere cmos-transistoren het nakijken geven.