Imec: RRam toont potentie als opvolger Nand-flash

Een in eigen huis ontwikkeld nieuw type resistief geheugen (RRam) heeft het in zich om het niet-vluchtige geheugen van de toekomst te worden, zegt Imec. Op de IEDM-conferentie in Washington presenteerde het Leuvense onderzoeksinstituut een volledig functioneel RRam-type gebaseerd op hafniumoxide. Dit zou verder geschaald kunnen worden dan de huidige technologische standaard, Nand-flash, waarvan wordt gedacht dat structuren onder de 18 nanometer niet haalbaar zijn. Een cel van Imecs RRam meet 10 bij 10 nanometer.

RRams hebben in essentie een DRam-structuur waarin de condensator is vervangen door een weerstand die kan schakelen tussen een toestand van hoge weerstand en een van een lage. Verschillende metaaloxides vertonen dit gedrag, dat kan worden verklaard door de reversibele vorming van geleidende filamenten in de vaste stof. Hoe deze geleidende paden ontstaan en weer verdwijnen, afhankelijk van het voltage waaraan het oxide wordt blootgesteld, is nog niet helemaal duidelijk. Waarschijnlijk is er sprake van verschillende mechanismen.