Memristorpuzzelstukje valt op zijn plaats

De uitvinders van de memristor bij HP Labs hebben meer inzicht gekregen in hoe dat ding eigenlijk werkt. Met synchrotron-röntgenspectroscopie brachten zij de laag in beeld die aan de basis staat van het schakelmechanisme.

HP presenteerde de memristor in 2008 als het vierde passieve, tweepolige elektronische basiselement, dat weliswaar decennia geleden theoretisch was beschreven maar nooit in de praktijk was gerealiseerd. Het bestaat uit een laagje oxide – titaandioxide is HP‘s favoriet – ingeklemd tussen een vierkant rooster van nanodraden om het geheel aan te sturen. Karakteristiek voor de memristor is dat de weerstand van het ’beleg‘ in de sandwich verandert als functie van de hoeveelheid stroom die in een richting heeft gelopen. De memristor onthoudt dus eigenlijk hoeveel stroom erdoorheen is gegaan.

Bekend was al dat de vorming en verdwijning van geleidende filamenten in het oxide aan dit geheugeneffect ten grondslag ligt. Ook was opgehelderd dat stroomgeïnduceerde migratie van ’lege plekken‘ (zuurstofvacatures) in het kristalrooster een rol speelt. De onderliggende fysica bleef echter nog onopgehelderd.