De Amerikaanse bedrijven ATMI en Ovonyx hebben faseveranderingsgeheugens (Phase-change Memory, PCM) gemaakt met metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). Daarmee pareren zij kritiek dat het niet uitontwikkelde geheugentype niet zou schalen en te veel stroom zou gebruiken. Om die problemen aan te pakken, moet er minder materiaal in smalle, relatief diepe gaatjes worden gedeponeerd. Met sputtering (of physical vapor deposition), de depositiemethode die tot nu toe gebruikt werd, lukt dat niet.
De basis voor de informatieopslag in PCM is elektrische weerstand. Het geheugentype bestaat uit kleine eilandjes van een legering die zich in twee toestanden kan bevinden: kristallijn of amorf. De kristallijnen fase heeft een lage weerstand, de amorfe juist een hoge. Meting van de weerstand levert een 0 of een 1 op. De toestanden gaan in elkaar over door gecontroleerde verwarmingscycli.
Materiaalspecialist ATMI en PCM-ontwikkelaar Ovonyx wisten met een MOCVD-proces gaatjes van veertig nanometer breed en tweehonderd nanometer diep te vullen met germaniumantimoontelluur. Dat is een veelgebruikte legering voor PCM.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.