Een aan grafeen geadsorbeerd laagje organische moleculen vervult dezelfde rol als p-doteringen in halfgeleiders, schrijven Duitse en Zwitserse onderzoekers in Physical Review B. De introductie van gaten in het veel onderzochte moleculaire kippengaas wordt gezien als een belangrijke voorwaarde om van het materiaal technologisch interessant te maken.
De ontdekking komt onder meer van pas om de effecten van ongewenste interacties tegen te gaan. Grafeen is bijvoorbeeld eenvoudig te maken door wafers van siliciumcarbide (SiC) flink te verhitten, waardoor relatief grote schilfers grafeen op het oppervlak achterblijven. Voor elektronische toepassingen moet dan wel gecompenseerd worden voor de elektronen die de ondergrond het grafeen in duwt.
Een laagje van de tetrafluorotetracyanoquinodimethaan (F4-TCNQ) doet dat door in essentie gaten te injecteren. Voor de fysici: F4-TCNQ brengt het Dirac-punt weer precies samen met het Fermi-niveau. Van een elektronisch zichtspunt lijkt het daarom alsof het grafeen gewoon vrij ligt, in plaats van op SiC.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
